VS-GT100LA65UF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100LA65UF
| Artikelnummer: | VS-GT100LA65UF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | MODULES IGBT - SOT-227 IGBT |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100LA65UF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GT100LA65UF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Supplier Device-Gehäuse SOT-227 Serie FRED Pt® Leistung - max 230 W Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften NTC-Thermistor No Befestigungsart Chassis Mount Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Strom - Collector Cutoff (Max) 80 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 94 A Konfiguration Single Chopper Grundproduktnummer GT100 -
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